Queries, comments, suggestions? Please contact us.



Area Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials

IEV ref521-02-05

en
impurity activation energy
gap between an intermediate energy level due to an impurity and the adjacent energy band

fr
énergie d'activation des impuretés, f
écart entre un niveau d'énergie intermédiaire dû à une impureté et la bande énergétique voisine

ar
طاقة تنشيط الشوائب

de
Störstellen-Aktivierungsenergie, f

es
energía de activación de impurezas

fi
epäpuhtausatomin aktivointienergia

it
energia di attivazione delle impurità

ko
불순물 활성화 에너지

ja
不純物活性化エネルギー

pl
energia aktywacji domieszek

pt
energia de activação das impurezas

sr
енергија активације примесе, ж јд

sv
aktiveringsenergi för störatom

zh
杂质激活能

Publication date: 2002-05
Copyright © IEC 2020. All Rights Reserved.