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Area Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials

IEV ref521-02-56

en
surface recombination velocity
velocity with which minority carriers would have to drift to the surface of the semiconductor in order to account for the rate at which they tend to combine there and are thus lost

Note – The surface recombination velocity is equal to the quotient of:
a) the number of recombinations taking place at the surface per unit time and area;
b) by the excess minority carrier concentration directly below the surface.


fr
vitesse de recombinaison en surface, f
vitesse à laquelle les électrons et les trous devraient diffuser vers la surface d’un semi-conducteur pour obtenir le taux de recombinaison conduisant à leur disparition en surface

Note – La vitesse de recombinaison en surface est égale au quotient :
a) du nombre de recombinaisons qui ont lieu à la surface par unités de temps et de surface ;
b) par la concentration en porteurs minoritaires en excès immédiatement sous la surface.


ar
سرعة إعادة الإندماج السطحي

de
Oberflächen-Rekombinationsgeschwindigkeit, f

es
velocidad de recombinación en superficie

fi
pintarekombinaationopeus

it
velocità di ricombinazione superficiale

ko
표면 재결합 속도

ja
表面再結合速度

pl
prędkość rekombinacji powierzchniowej

pt
velocidade de recombinação em superfície

sr
брзина површинске рекомбинације, ж јд

sv
ytrekombineringshastighet

zh
表面复合速度

Publication date: 2002-05
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