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Area Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials

IEV ref521-02-63

en
trap
crystal lattice imperfection or impurity whose energy level is situated in the forbidden band of the semiconductor and which acts as a centre for the capture of electrons or holes

fr
piège, m
imperfection ou impureté dans un réseau cristallin dont le niveau d’énergie est situé dans la bande interdite du semiconducteur et qui agit comme centre pour la capture des électrons ou des trous

ar
مصيدة

de
Störstellen-Haftstelle, f
Haftstelle, f

es
trampa

fi
loukku

it
trappola

ko

트랩

ja
トラップ

pl
pułapka

pt
armadilha

sr
замка, ж јд

sv
(störämnes)fälla
störämnesfälla

zh
陷阱

Publication date: 2002-05
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