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Area Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials

IEV ref521-02-83

en
tunnel effect (in a PN junction)
process whereby conduction occurs through the potential barrier of a PN junction and in which electrons pass in either direction between the conduction band in the N-region and the valence band in the P-region

Note – Tunnel action, unlike the diffusion of charge carriers, involves electrons only. The transit time is practically negligible.


fr
effet tunnel (dans une jonction PN), m
processus par lequel une conduction s’établit à travers la barrière de potentiel d’une jonction PN et dans lequel les électrons circulent dans chaque direction entre la bande de conduction dans la région N et la bande de valence dans la région P

Note – L’effet tunnel, à la différence de la diffusion des porteurs de charge, entraîne seulement des électrons. Le temps de transit est pratiquement négligeable.


ar
أثر نفقي (فى وصلةPN)

de
Tunneleffekt, <in einem PN-Übergang> m

es
efecto túnel (en una unión PN)

fi
tunneli-ilmiö

it
effetto tunnel

ko
터널 효과, <PN접합>

ja
トンネル効果, <PN接合中の>

pl
zjawisko tunelowe (w złączu PN)

pt
efeito túnel (numa junção PN)

sr
ефекат тунела, <PN-споја> м јд

sv
tunneleffekt (i PN-övergång)

zh
隧道效应, <PN结中>

Publication date: 2002-05
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