Queries, comments, suggestions? Please contact us.



Area Semiconductor devices and integrated circuits / Processing semiconductor materials

IEV ref521-03-07

en
alloy technique
formation of a PN junction by fusing a donor or acceptor substance into the surface of a semi-conductor crystal

Note 1 – The re-crystallized region formed on cooling contains impurity atoms which give rise to N-type, or P-type conductivity, which differs from that of the host crystal.

Note 2 – PNP or NPN junctions are usually formed by alloying from opposite sides of the host crystal.


fr
procédé par alliage, m
formation d’une jonction PN par fusion d’une substance donneuse ou accepteuse à la surface d’un cristal semiconducteur

Note 1 – La région recristallisée formée lors du refroidissement contient des atomes d’impuretés qui donnent naissance à une conductivité de type N (ou de type P) qui diffère de celle du cristal primitif.

Note 2 – On obtient généralement les jonctions PNP ou NPN par alliage sur les deux faces opposées du cristal primitif.


ar
تقنية السبيكة

de
Legierungstechnik, f

es
técnica de aleación

fi
seostekniikka

it
tecnica di lega
procedimento per mescolanza

ko
합금 기법

ja
合金技術

pl
technika stopowa

pt
técnica de liga

sr
техника легирања, ж јд

sv
legeringsteknik

zh
合金工艺

Publication date: 2002-05
Copyright © IEC 2020. All Rights Reserved.