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Area Semiconductor devices and integrated circuits / Processing semiconductor materials

IEV ref521-03-18

en
chemical mechanical polishing
CMP
planarization process for a substrate by a combination of mechanical polishing and chemical etching

Note 1 to entry: Chemical mechanical polishing is applied mainly to planarize steps on a substrate due to the semiconductor manufacturing process. Because the steps are composed of a plurality of materials such as substrates, dielectrics and metals, various slurries are used to remove selectively each material. In micro-electromechanical devices, chemical mechanical polishing is used to planarize the bonding surfaces in the wafer level packaging process.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.8]


fr
polissage mécano-chimique, m
CMP, m
procédé de planarisation d'un substrat par combinaison de polissage mécanique et de gravure chimique

Note 1 à l’article: Le polissage mécano-chimique est principalement utilisé lors des étapes de planarisation sur un substrat dans le cadre du procédé de fabrication de semiconducteurs. Puisque ces étapes sont composées de plusieurs matériaux tels que des substrats, des diélectriques et des métaux, différentes boues sont utilisées pour retirer chaque matériau de manière sélective. Dans les dispositifs microélectromécaniques, le polissage mécano-chimique est utilisé pour rendre les surfaces de liaison planes dans le procédé d'encapsulation au niveau de la tranche.

Note 2 à l’article: Le terme abrégé "CMP" est dérivé du terme anglais développé correspondant "chemical mechanical polishing".


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.8]


de
chemisch-mechanisches Polieren, n
CMP

ja
化学機械研磨

pl
polerowanie mechaniczno-chemiczne, n
CMP

pt
polimento mecanoquímico

zh
化学机械抛光
CMP

Publication date: 2018-12
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