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Area Semiconductor devices and integrated circuits / General terms for semiconductor devices

IEV ref521-05-06

en
breakdown (of a reverse-biased PN junction)
phenomenon, the initiation of which is observed as a transition from a state of high dynamic resistance to a state of substantially lower dynamic resistance for increasing magnitude of reverse current

fr
claquage (d'une jonction PN polarisée en inverse), m
phénomène qui se manifeste par l'apparition d'une transition d'un état de haute résistance dynamique vers un état de résistance dynamique sensiblement plus faible, lorsque la grandeur du courant inverse augmente

ar
انهيار(لوصلة PNمنحازةعكسيا)

de
Durchbruch, <eines in Sperrrichtung vorgespannten PN-Übergangs> m

es
perforación (de una unión PN polarizada en inversa)

fi
läpilyönti

it
rottura
perforazione

ko
항복, <역방향 편이 PN접합>
파괴, <역방향 편이 PN접합>

ja
降伏, <逆バイアスされたPN接合の>

pl
przebicie (złącza PN spolaryzowanego wstecznie)

pt
perfuração (de uma junção PN polarizada inversamente)

sr
пробој, <инверзно поларисаног PN споја> м јд

sv
genombrott

zh
击穿, <反向偏置PN结的>

Publication date: 2002-05
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