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Area Semiconductor devices and integrated circuits / General terms for semiconductor devices

IEV ref521-05-07

en
avalanche breakdown (of a PN junction)
breakdown that is caused by the cumulative multiplication of charge carriers in a semi-conductor under the action of a strong electric field which causes some carriers to gain enough energy to liberate new hole-electron pairs by ionization

fr
claquage par avalanche (d'une jonction PN), m
claquage provoqué par la multiplication cumulative des porteurs de charge dans un semi-conducteur sous l'action d'un champ électrique intense et certains porteurs gagnant alors assez d'énergie pour libérer par ionisation de nouvelles paires électron-trou

ar
انهيارجرفى(لوصلةPN)

de
Lawinendurchbruch, <eines PN-Übergangs> m

es
perforación por avalancha (de una unión PN)

fi
vyöryläpilyönti

it
rottura a valanga

ko
전자 사태 항복, <PN접합>
전자 사태 강하

ja
アバランシェ降伏, <半導体のPN接合の>

pl
przebicie lawinowe (złącza półprzewodnikowego PN)

pt
perfuração por avalanche (de uma junção PN semicondutora)

sr
лавински пробој, <PN споја> м јд

sv
lavingenombrott

zh
雪崩击穿, <半导体PN结的>

Publication date: 2002-05
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