Queries, comments, suggestions? Please contact us.



Area Semiconductor devices and integrated circuits / Specific terms for transistors

IEV ref521-07-24

en
threshold voltage (of an enhancement type field-effect transistor)
gate-source voltage at which the magnitude of the drain current reaches a specified low value

fr
tension de seuil (d’un transistor à effet de champ à enrichissement), f
tension grille-source pour laquelle l’amplitude du courant de drain atteint une valeur spécifiée, faible

ar
جهد العتبة (لترانسستور تأثير المجال من النوع المحسن)

de
Schwellenspannung, <eines Feldeffekttransistors vom Anreicherungstyp> f

es
tensión de umbral (de un transistor de efecto de campo de enriquecimiento)

fi
kynnysjännite

it
tensione di soglia

ko
문턱 전압, <강화형 전계 효과 트랜지스터>

ja
しきい値電圧, <エンハンスメント形電界効果トランジスタの>

pl
napięcie progowe (tranzystora polowego z kanałem wzbogaconym)

pt
tensão de limiar (de um transistor de efeito de campo por enriquecimento)

sr
напон прага, <обогаћеног типа транзистора са ефектом поља> м јд

sv
tröskelspänning (för fälteffekttransistor av anrikningstyp)

zh
阈值电压, <增强型场效应晶体管的>

Publication date: 2002-05
Copyright © IEC 2020. All Rights Reserved.