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Area Micro-electromechanical systems (MEMS) / Bonding and assembling technology

IEV ref 523-06-08

en
through-silicon-via
TSV
perpendicularly penetrating electro interconnection between both surfaces of a silicon substrate

Note 1 to entry: Through-silicon-vias are mainly applied to three-dimensionally stacked packaging of semiconductor devices. In the MEMS fields, the through-silicon-vias are applied to wafer level packaging technology. Some through-silicon-vias consist of through-via, insulator and electrode material. Solder, copper, doped-poly-silicon and so on are used as electrode materials.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.6.11]


fr
trou de liaison à travers le silicium, m
TSV, m
interconnexion électronique pénétrant perpendiculairement entre les deux surfaces d'un substrat de silicium

Note 1 à l’article: Les trous de liaison à travers le silicium s'appliquent principalement aux dispositifs à semiconducteurs encapsulés selon un empilement tridimensionnel. Dans le cas des MEMS, les trous de liaison à travers le silicium s'appliquent à la technologie de l'encapsulation au niveau de la tranche. Certains trous de liaison à travers le silicium sont constitués de trous de liaison traversants, d'isolants et de matériaux d'électrode. Les électrodes sont constituées de brasures, de cuivre, de polysilicium dopé, etc.

Note 2 à l'article: Le terme abrégé "TSV" est dérivé du terme anglais développé correspondant "through-silicon-via".


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.6.11]


de
Silizium-Durchkontaktierung, f
Silizium-Via, n
TSV

ja
シリコン貫通電極 
TSV

pl
połączenia TSV, n pl
połączenia wewnętrzne między strukturami, n pl

pt
via através do silício
TSV

zh
硅通孔
TSV

Publication date: 2018-12
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