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Area Nuclear instrumentation: Physical phenomena, basic concepts, instruments, systems, equipment and detectors / Radiation detectors

IEV ref 395-03-40

en
lithium drifted semiconductor detector
compensated semiconductor detector in which the compensated region is obtained by causing lithium (N-type) ions to move through a P-type crystal under an applied electric field at high temperatures, in such a way as to balance (compensate) the bound impurities

Note 1 to entry: This type of detector must be kept at low temperatures to maintain the lithium concentration in the compensated region. These detectors have generally been replaced by high purity detectors which do not require a dopant to create the compensated region.

Note 2 to entry: This entry was numbered 394-28-06 in IEC 60050-394:2007.


fr
détecteur semiconducteur compensé au lithium, m
DÉCONSEILLÉ: semicteur compensé au lithium, m
détecteur semiconducteur compensé dans lequel la région compensée est obtenu en provoquant, par l’application d’un champ électrique à haute température, la migration d’ions lithium (type N) dans un cristal de type P de façon à équilibrer (compenser) les impuretés liées au cristal

Note 1 à l'article: Ce type de détecteur doit être gardé à des températures basses pour maintenir la concentration de lithium dans la région indemnisée. Ces détecteurs étaient généralement remplacés par des détecteurs à haut niveau de pureté qui n'exigent pas de dopant pour créer la région compensée.

Note 2 à l'article: Cet article était numéroté 394-28-06 dans la CEI 60050-394:2007.


de
Lithium-gedrifteter Halbleiterdetektor, m

es
detector de semiconductor compensado de litio, m

it
rivelatore a semiconduttore a migrazione di litio

ko
리튬 드리프트형 반도체 검출기

ja
リチウムドリフト形半導体検出器

pl
detektor półprzewodnikowy skompensowany litem, m

pt
detetor semicondutor compensado com lítio

zh
锂漂移半导体探测器

Publication date: 2014-03
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