International

Electrotechnical

Area		Nuclear instrumentation: Physical phenomena, basic concepts, instruments, systems, equipment and detectors / Radiation detectors

IEV ref		395-03-45

en		boron coated semiconductor detector
		semiconductor detector containing ¹⁰B in the form of a surface coating to detect thermal neutrons Note 1 to entry: The ionization is due to charged particles produced by nuclear interactions of the neutrons in the coating. Note 2 to entry: This entry was numbered 394-28-11 in IEC 60050-394:2007.

fr		détecteur semiconducteur à dépôt de bore, m DÉCONSEILLÉ: semicteur à dépôt de bore, m
		détecteur semiconducteur contenant du ¹⁰B sous forme d’un dépôt en surface et destiné à détecter les neutrons thermiques Note 1 à l'article: L’ionisation est due aux particules chargées produites par réaction nucléaire des neutrons dans le dépôt. Note 2 à l'article: Cet article était numéroté 394-28-11 dans la CEI 60050-394:2007.

de		Halbleiterdetektor mit Borbelag, m

es		detector de semiconductor de depósito de boro, m

it		rivelatore a semiconduttore a deposito di boro

ko		붕소 도포형 반도체 검출기

ja		ほう素塗布半導体検出器

pl		detektor półprzewodnikowy z pokryciem borowym, m

pt		detetor semicondutor com revestimento de boro

zh		涂硼半导体探测器

Publication date: 2014-03