International
Electrotechnical
Commission
Queries, comments, suggestions? Please
contact us
.
Area
Semiconductor devices and integrated circuits
/ Properties of semiconductor materials
IEV ref
521-02-05
en
impurity activation energy
gap between an intermediate energy level due to an impurity and the adjacent energy band
fr
énergie d'activation des impuretés
, f
écart entre un niveau d'énergie intermédiaire dû à une impureté et la bande énergétique voisine
ar
طاقة تنشيط الشوائب
de
Störstellen-Aktivierungsenergie, f
es
energía de activación de impurezas
fi
epäpuhtausatomin aktivointienergia
it
energia di attivazione delle impurità
ko
불순물 활성화 에너지
ja
不純物活性化エネルギー
pl
energia aktywacji domieszek
pt
energia de activação das impurezas
sr
енергија активације примесе, ж јд
sv
aktiveringsenergi för störatom
zh
杂质激活能
Publication date:
2002-05
Copyright
©
IEC
2024. All Rights Reserved.