International

Electrotechnical

Area		Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials

IEV ref		521-02-12

en		non-degenerate semiconductor
		semiconductor in which the Fermi level is situated in the energy gap away from the boundaries at a distance at least twice as great as the product of Boltzmann's constant and the thermodynamic temperature Note – The charge carriers in a non-degenerate semiconductor are governed by Maxwell-Boltzmann statistics.

fr		semiconducteur non dégénéré, m
		semiconducteur dans lequel le niveau de Fermi est situé dans la bande interdite, loin de ses limites, à une distance au moins égale à deux fois le produit de la constante de Boltzmann par la température thermodynamique Note – Les porteurs de charge d'un semiconducteur non dégénéré sont régis par la statistique de Maxwell-Boltzmann.

ar		شبه موصل ضعيف الناقلية

de		nichtentarteter Halbleiter, m

es		semiconductor no degenerado

fi		degeneroitumaton puolijohde

it		semiconduttore non degenere

ko		비축퇴 반도체

ja		非縮退形半導体

pl		półprzewodnik niezdegenerowany

pt		semicondutor não degenerado

sr		недегенерисани полупроводник, м јд

sv		icke-degenerad halvledare

zh		非简并半导体

Publication date: 2002-05