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Electrotechnical
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Area
Semiconductor devices and integrated circuits
/ Properties of semiconductor materials
IEV ref
521-02-63
en
trap
crystal lattice imperfection or impurity whose energy level is situated in the forbidden band of the semiconductor and which acts as a centre for the capture of electrons or holes
fr
piège
, m
imperfection ou impureté dans un réseau cristallin dont le niveau d’énergie est situé dans la bande interdite du semiconducteur et qui agit comme centre pour la capture des électrons ou des trous
ar
مصيدة
de
Störstellen-Haftstelle, f
Haftstelle, f
es
trampa
fi
loukku
it
trappola
ko
덫
트랩
ja
トラップ
pl
pułapka
pt
armadilha
sr
замка, ж јд
sv
(störämnes)fälla
störämnesfälla
zh
陷阱
Publication date:
2002-05
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