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Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials |
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| IEV ref |
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521-02-83 |
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en |
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tunnel effect (in a PN junction) |
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process whereby conduction occurs through the potential barrier of a PN junction and in which electrons pass in either direction between the conduction band in the N-region and the valence band in the P-region
Note – Tunnel action, unlike the diffusion of charge carriers, involves electrons only. The transit time is practically negligible. |
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fr |
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effet tunnel (dans une jonction PN), m |
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processus par lequel une conduction s’établit à travers la barrière de potentiel d’une jonction PN et dans lequel les électrons circulent dans chaque direction entre la bande de conduction dans la région N et la bande de valence dans la région P
Note – L’effet tunnel, à la différence de la diffusion des porteurs de charge, entraîne seulement des électrons. Le temps de transit est pratiquement négligeable. |
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ar |
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أثر نفقي (فى وصلةPN) |
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de |
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Tunneleffekt, <in einem PN-Übergang> m |
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es |
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efecto túnel (en una unión PN) |
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fi |
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tunneli-ilmiö |
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it |
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effetto tunnel |
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ko |
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터널 효과, <PN접합> |
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ja |
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トンネル効果, <ＰＮ接合中の> |
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pl |
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zjawisko tunelowe (w złączu PN) |
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pt |
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efeito túnel (numa junção PN) |
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sr |
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ефекат тунела, <PN-споја> м јд |
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sv |
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tunneleffekt (i PN-övergång) |
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zh |
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隧道效应, <PN结中> |