International
Electrotechnical
Commission
Queries, comments, suggestions? Please
contact us
.
Area
Semiconductor devices and integrated circuits
/ Processing semiconductor materials
IEV ref
521-03-02
en
growing by zone melting
(of a single crystal)
production of a single crystal with the aid of a monocrystalline seed by passing a molton zone first through a portion of the monocrystalline seed and then through the polycrystalline semiconductor material closely abutted to the seed
fr
croissance d’un monocristal par fusion de zone
, f
production d’un monocristal à l’aide d’un germe monocristallin, en faisant traverser une zone fondue d’abord par une partie du germe monocristallin, puis par le semiconducteur polycristallin accolé au germe
ar
نمو بانصهار منطقة (لبلورة احادية)
de
Einkristallziehen durch Zonenschmelzen, n
es
crecimiento de un monocristal por fusión de zona
fi
yksikiteen kasvattaminen vyöhykesulatusmenetelmällä
it
accrescimento di un monocristallo mediante fusione di zona
ko
영융해 성장, <단일 결정>
ja
帯域溶融成長, <単結晶の>
pl
metoda monokrystalizacji strefowej
pt
crescimento de um monocristal por fusão de zona
sr
раст монокристала методом растопљене зоне, м јд
sv
kristallodling med zonsmältning
zh
区熔生长, <单晶的>
Publication date:
2002-05
Copyright
©
IEC
2025. All Rights Reserved.