International

Electrotechnical

Area		Semiconductor devices and integrated circuits / Types of semiconductor devices

IEV ref		521-04-54

en		insulated-gate field-effect transistor
		field-effect transistor having one or more gate electrodes which are electrically insulated from the channel

fr		transistor à effet de champ à grille isolé, m
		transistor à effet de champ ayant une ou plusieurs électrodes de grille isolées électriquement du canal

ar		ترانزستور(محكوم بالمجال الكهربائي) ذو بوابات معزولة كهربياً

de		Isolierschicht-Feldeffekttransistor, m IGFET, Abkürzung

es		transistor de efecto de campo de rejilla aislada

fi		eristyshilainen kanavatransistori

it		transistor a effetto di campo a gate isolato (IGFET)

ko		절연 게이트 전계 효과 트랜지스터

ja		絶縁ゲート電界効果トランジスタ

pl		tranzystor polowy z bramką izolowaną

pt		transistor de efeito de campo de porta isolada

sr		транзистор са ефектом поља са изолованим гејтом, м јд

sv		fälteffekttransistor med isolerat styre

zh		绝缘栅场效应晶体管

Publication date: 2002-05