International
Electrotechnical
Commission
Queries, comments, suggestions? Please
contact us
.
Area
Semiconductor devices and integrated circuits
/ Types of semiconductor devices
IEV ref
521-04-59
en
enhancement type field-effect transistor
field-effect transistor having substantially zero channel conductivity for zero gate-source voltage where the channel conductivity may be increased by the application of a gate-source voltage of appropriate polarity
fr
transistor à effet de champ à enrichissement
, m
transistor à effet de champ qui a essentiellement une conduction nulle du canal pour une tension grille-source nulle, cette conduction du canal pouvant être augmentée par l'application d'une tension grille-source de polarité convenable
ar
ترانزستور(محكوم بالمجال الكهربائي) من النوع المدعم
de
Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp, m
es
transistor de efecto de campo de enriquecimiento
fi
avaustyyppinen kanavatransistori
avauskanavatransistori
it
transistor ad effetto campo ad arricchimento
ko
증가형 전계 효과 트랜지스터
ja
エンハンスメント形電界効果トランジスタ
pl
tranzystor polowy z kanałem wzbogaconym
pt
transistor de efeito de campo por enriquecimento
sr
обогаћени тип транзистора са ефектом поља, м јд
транзистор са ефектом поља са индукованим каналом, м јд
sv
fälteffekttransistor av anrikningstyp
zh
增强型场效应晶体管
Publication date:
2002-05
Copyright
©
IEC
2024. All Rights Reserved.