International

Electrotechnical

Area		Semiconductor devices and integrated circuits / Types of semiconductor devices

IEV ref		521-04-69

en		P-gate thyristor
		thyristor in which the gate terminal is connected to the P-region nearest the cathode and which is normally switched to the on-state by applying a positive signal to the gate terminal with respect to the cathode terminal

fr		thyristor P, m
		thyristor dans lequel la borne de gâchette est connectée à la région P la plus proche de la cathode et qui est normalement commuté à l'état passant en appliquant un signal positif à la borne de gâchette par rapport à la borne de cathode

ar		ثايرستور ذو بوابة P

de		kathodenseitig steuerbarer Thyristor, m

es		tiristor P

fi		P-hilainen tyristori

it		tiristore a gate P

ko		피 게이트 사이리스터 p 게이트 사이리스터

ja		Ｐゲートサイリスタ

pl		tyrystor z bramką typu P

pt		tiristor de porta P

sr		P-гејт тиристор, м јд

sv		tyristor med P-styre

zh		P栅闸流晶体管 P门极晶闸管

Publication date: 2002-05