International

Electrotechnical

Area		Semiconductor devices and integrated circuits / Types of semiconductor devices

IEV ref		521-04-70

en		N-gate thyristor
		thyristor in which the gate terminal is connected to the N-region nearest the anode and which is normally switched to the on-state by applying a negative signal to the gate terminal with respect to the anode terminal

fr		thyristor N, m
		thyristor dans lequel la borne de gâchette est connectée à la région N la plus proche de l’anode et qui est normalement commuté à l'état passant en appliquant un signal négatif à la borne de gâchette par rapport à la borne d'anode

ar		ثايرستور ذو بوابة N

de		anodenseitig steuerbarer Thyristor, m

es		tiristor N

fi		N-hilainen tyristori

it		tiristore a gate N

ko		엔 케이트 사이리스터 N 게이트 사이리스터

ja		Ｎゲートサイリスタ

pl		tyrystor z bramką typu N

pt		tiristor de porta N

sr		N-гејт тиристор, м јд

sv		tyristor med N-styre

zh		N栅闸流晶体管 N门极晶闸管

Publication date: 2002-05