International

Electrotechnical

Area		Semiconductor devices and integrated circuits / General terms for semiconductor devices

IEV ref		521-05-07

en		avalanche breakdown (of a PN junction)
		breakdown that is caused by the cumulative multiplication of charge carriers in a semi-conductor under the action of a strong electric field which causes some carriers to gain enough energy to liberate new hole-electron pairs by ionization

fr		claquage par avalanche (d'une jonction PN), m
		claquage provoqué par la multiplication cumulative des porteurs de charge dans un semi-conducteur sous l'action d'un champ électrique intense et certains porteurs gagnant alors assez d'énergie pour libérer par ionisation de nouvelles paires électron-trou

ar		انهيارجرفى(لوصلةPN)

de		Lawinendurchbruch, <eines PN-Übergangs> m

es		perforación por avalancha (de una unión PN)

fi		vyöryläpilyönti

it		rottura a valanga

ko		전자 사태 항복, <PN접합> 전자 사태 강하

ja		アバランシェ降伏, <半導体のＰＮ接合の>

pl		przebicie lawinowe (złącza półprzewodnikowego PN)

pt		perfuração por avalanche (de uma junção PN semicondutora)

sr		лавински пробој, <PN споја> м јд

sv		lavingenombrott

zh		雪崩击穿, <半导体PN结的>

Publication date: 2002-05