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Area Semiconductor devices and integrated circuits / General terms for semiconductor devices

IEV ref 521-05-23

en
carrier storage time
time interval between the beginning of the fall of the pulse applied to the input terminals of a semiconductor device and the beginning of the fall of the pulse generated by charge carriers at the output terminals

fr
retard à la décroissance, m
retard à la descente, m
temps écoulé entre le début de la décroissance de l’impulsion appliquée aux bornes d’entrée d’un dispositif à semiconducteurs et le début de la décroissance de l’impulsion engendrée par les porteurs de charge aux bornes de sortie

ar
زمن تخزين الحامل

de
Speicherzeit, f
Entladeverzug, m

es
retardo de caída

fi
varastointiaika

it
tempo di immagazzinamento dei portatori

ko
반송자 축적 시간

ja
電荷蓄積時間

pl
czas gromadzenia ładunku

pt
tempo de armazenamento (dos portadores)

sr
време нагомилавања носилаца, с јд

sv
efterledningstid

zh
载流子贮存时间

Publication date: 2002-05
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