International

Electrotechnical

Area		Semiconductor devices and integrated circuits / Specific terms for transistors

IEV ref		521-07-24

en		threshold voltage (of an enhancement type field-effect transistor)
		gate-source voltage at which the magnitude of the drain current reaches a specified low value

fr		tension de seuil (d’un transistor à effet de champ à enrichissement), f
		tension grille-source pour laquelle l’amplitude du courant de drain atteint une valeur spécifiée, faible

ar		جهد العتبة (لترانسستور تأثير المجال من النوع المحسن)

de		Schwellenspannung, <eines Feldeffekttransistors vom Anreicherungstyp> f

es		tensión de umbral (de un transistor de efecto de campo de enriquecimiento)

fi		kynnysjännite

it		tensione di soglia

ko		문턱 전압, <강화형 전계 효과 트랜지스터>

ja		しきい値電圧, <エンハンスメント形電界効果トランジスタの>

pl		napięcie progowe (tranzystora polowego z kanałem wzbogaconym)

pt		tensão de limiar (de um transistor de efeito de campo por enriquecimento)

sr		напон прага, <обогаћеног типа транзистора са ефектом поља> м јд

sv		tröskelspänning (för fälteffekttransistor av anrikningstyp)

zh		阈值电压, <增强型场效应晶体管的>

Publication date: 2002-05