International
Electrotechnical
Commission
Queries, comments, suggestions? Please
contact us
.
Area
Semiconductor devices and integrated circuits
/ Specific terms for thyristors
IEV ref
521-08-15
en
gate trigger voltage
gate voltage required to produce the gate trigger current
fr
tension d’amorçage par la gâchette
, f
tension de gâchette nécessaire pour produire le courant d’amorçage par la gâchette
ar
جهد قدح البوابة
de
Zündspannung, f
es
tensión de disparo de puerta
fi
liipaisujännite
it
tensione di innesco per la porta
ko
게이트 발생 전압
ja
ゲートトリガ電圧
pl
napięcie przełączające bramki
pt
tensão de disparo de porta
sr
напон окидања, м јд
sv
tänd(styr)spänning
zh
栅极触发电压
门极触发电压
Publication date:
2002-05
Copyright
©
IEC
2024. All Rights Reserved.