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Area Micro-electromechanical systems (MEMS) / Machining technology

IEV ref 523-05-11

en
sacrificial etching
micromachining in which an intermediate layer sandwiched between two layers of a different material is preferentially (sacrificially) etched and selectively removed

Note 1 to entry: Usually, the etch selectivity is high between the intermediate layer and the two sandwich layers. The purpose of the sacrificial layer is to mechanically release one or both of the sandwich layers. Silicon oxide is a commonly used sacrificial layer.


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.26]


fr
gravure sacrificielle, f
procédé de micro-usinage dans lequel une couche intermédiaire intercalée entre deux couches d’un matériau différent est de préférence (de manière sacrificielle) gravée et retirée sélectivement

Note 1 à l’article: Habituellement, la sélectivité de gravure est élevée entre la couche intermédiaire et les deux couches sandwich. L’objet de la couche sacrificielle est de relâcher mécaniquement une couche sandwich ou les deux. L’oxyde de silicium est une couche sacrificielle communément utilisée.


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.26]


de
Opferschicht-Ätzen, n

ja
犠牲層エッチング

nl BE
opofferend etsen, n

pl
trawienie pośrednie, n

pt
decapagem sacrificial
gravura sacrificial

zh
牺牲层刻蚀

Publication date: 2018-12
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