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Area Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated materials for frequency control, selection and detection / Materials for Surface Acoustic Wave (SAW) devices

IEV ref 561-07-38

en
warp, <material for SAW devices>
maximum distance between the highest point and the lowest point on the front surface of an unclamped wafer from the reference plane, where the three-point reference plane is used

Note 1 to entry: The warp describes the deformation of a wafer that is not clamped, as shown in Figure 1.

Figure 1 – Schematic diagram of a warp

Note 2 to entry: The reference plane is defined by the surface height at three points on the front surface of the wafer as described in IEV 561-07-27, Note 1 to entry, item 2.


fr
gauchissement, <matériau pour dispositifs OAS> m
distance maximale entre le point le plus haut et le point le plus bas sur la face avant d’une plaquette non serrée par rapport au plan de référence, où le plan de référence à trois points est utilisé

Note 1 à l’article: Le gauchissement décrit la déformation d’une plaquette non serrée, comme indiqué sur la Figure 1.

Figure 1 – Représentation schématique d'un gauchissement

Note 2 à l’article: Le plan de référence est défini par la hauteur de la surface en trois points sur la face avant de la plaquette, comme indiqué en IEV 561-07-27, Note 1 à l’article, point 2.


ar
تشوه

de
Verwölbung, f

es
alabeo

it
inarcamento

ko
틀어짐

ja
ワープ

pl
wichrowatość, f
wykrzywienie, n

pt
empeno

zh
翘曲度

Publication date: 2021-08
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